4 MOSFET Vishay, canale Doppio N, 8 A 60 V, SO-8, Superficie Miglioramento, 8 Pin SI9634DY-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8283
Codice costruttore:
SI9634DY-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Doppio N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SI9634DY

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

60 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested

Numero elementi per chip

4

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a doppio canale N TrenchFET di 4 generazioni Vishay è un dispositivo completamente privo di piombo e alogeni. È ottimizzato e il rapporto riduce la perdita di potenza correlata alla commutazione ed è utilizzato in applicazioni come la rettifica sincrona, l'azionamento di motori

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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