MOSFET Vishay, canale N 100 V, 10.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR870ADP-T1-GE3

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Codice RS:
919-4242
Codice costruttore:
SIR870ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR870ADP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

53.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Larghezza

5.26mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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