MOSFET Vishay, canale P, 0,062 O, 7,2 A, SO-8, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale P a montaggio superficiale Vishay è un prodotto di nuova generazione con una tensione drain-source di 40V e una tensione gate-source massima di 20V. Ha una resistenza drain-source di 45mohm a una tensione gate-source di 10V. Ha una dissipazione di potenza massima di 4,2 W e una corrente di drain continua di 7,2 A. La tensione di pilotaggio minima e massima per questo transistore sono rispettivamente 4,5 V e 10V. Il MOSFET è stato ottimizzato per ridurre le perdite di conduzione e commutazione. Il MOSFET offre un'eccellente efficienza insieme a una lunga durata produttiva senza compromettere le prestazioni o la funzionalità.

• Senza alogeni
• senza piombo (Pb)
• la temperatura d'esercizio è compresa tra -55 °C e 150 °C.
MOSFET di potenza TrenchFET da •

• interruttore adattatore
• interruttori di carico
• PC notebook

• ANSI/ESD S20.20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg testato
• UIS testato