MOSFET Vishay, canale N 60 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 39.3 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SiJ462ADP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7215
Codice costruttore:
SiJ462ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

39.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiJ462ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

22.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.25mm

Altezza

6.25mm

Larghezza

1.14mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 60 V (D-S) è dotato di Qg e Qoss molto bassi che riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza. I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche.

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