MOSFET Vishay, canale Tipo N 60 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 39.3 A, 4 Pin, SO-8, Superficie SiJ462ADP-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7215
Codice costruttore:
SiJ462ADP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

39.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SiJ462ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

22.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.14 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Lunghezza

5.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 60 V (D-S) è dotato di Qg e Qoss molto bassi che riducono la perdita di potenza e migliorano l'efficienza. I cavi flessibili forniscono una resilienza alle sollecitazioni meccaniche.

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