MOSFET Vishay, canale N 100 V, 7.2 mΩ Miglioramento, 81 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR104ADP-T1-RE3

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Codice RS:
200-6861
Codice costruttore:
SiR104ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15mm

Altezza

6.15mm

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiR104ADP-T1-RE3 è un MOSFET 100V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

100 % Rg e collaudato UIS

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