MOSFET Vishay, canale N 100 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 81 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR870BDP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

21,07 €

(IVA esclusa)

25,71 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 12 novembre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 402,107 €21,07 €
50 - 901,687 €16,87 €
100 - 2401,485 €14,85 €
250 - 4901,445 €14,45 €
500 +1,411 €14,11 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7224
Codice costruttore:
SiR870BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR870BDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.26mm

Larghezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 100 V (D-S) ha una RDS molto bassa x Qg figura di merito (FOM) ed è sintonizzato per la minima RDS x Qoss FOM.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.