MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 81 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR870BDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7224
Codice costruttore:
SiR870BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR870BDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.25mm

Lunghezza

5.26mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 100 V (D-S) ha una RDS molto bassa x Qg figura di merito (FOM) ed è sintonizzato per la minima RDS x Qoss FOM.

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