MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 6.1 mΩ Miglioramento, 81 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR870BDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7224
Codice costruttore:
SiR870BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR870BDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

110nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.26mm

Altezza

6.25mm

Larghezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 100 V (D-S) ha una RDS molto bassa x Qg figura di merito (FOM) ed è sintonizzato per la minima RDS x Qoss FOM.

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