MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 9 mΩ Miglioramento, 65.8 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR106ADP-T1-RE3

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Codice RS:
200-6863
Codice costruttore:
SiR106ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

65.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83.3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

52nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SiR106ADP-T1-RE3 è un MOSFET 100V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

100 % Rg e collaudato UIS

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