MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 1.16 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIDR638DP-T1-RE3

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Codice RS:
200-6839
Codice costruttore:
SIDR638DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SO-8

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

204nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.61mm

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15 mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SIDR638DP-T1-RE3 è un MOSFET 40V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

La funzione di raffreddamento del lato superiore fornisce un'ulteriore sede per trasferimento termico

100 % Rg e collaudato UIS

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