MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 2.88 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIDR680ADP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7258
Codice costruttore:
SIDR680ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiDR680ADP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4.9 mm

Lunghezza

5.9mm

Altezza

0.51mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 80 V (D-S) ha una RDS molto bassa - valore di merito Qg (FOM) ed è sintonizzato per la minima RDS - Qoss FOM.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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