MOSFET Vishay, canale N 80 V, 2.88 mΩ Miglioramento, 137 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIDR680ADP-T1-RE3

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Codice RS:
204-7257
Codice costruttore:
SIDR680ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

137A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiDR680ADP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.88mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.9mm

Altezza

510μm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.9mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N Vishay da 80 V (D-S) ha una RDS molto bassa - valore di merito Qg (FOM) ed è sintonizzato per la minima RDS - Qoss FOM.

Testato al 100% Rg e UIS

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