MOSFET Vishay, canale N 80 V, 2.33 mΩ Miglioramento, 130 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR680LDP-T1-RE3

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Codice RS:
210-5002
Codice costruttore:
SIR680LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR680LDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel 80 V (D-S) è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK con corrente di drain di 130 A.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

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