MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 4.15 mΩ Miglioramento, 86 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR826LDP-T1-RE3

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Codice RS:
210-5004
Codice costruttore:
SiR826LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR826LDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26mm

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel 80 V (D-S) è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK con corrente di drain di 86 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa - figura di merito Qg (FOM)

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