MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 4.15 mΩ Miglioramento, 86 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR826LDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5005
Codice costruttore:
SiR826LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

86A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR826LDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

90nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel 80 V (D-S) è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK con corrente di drain di 86 A.

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