MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 0.31 mΩ Miglioramento, 430 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR178DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-4999
Codice costruttore:
SIR178DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

430A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.31mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

204nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Larghezza

5.26 mm

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 20 V (D-S) è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK con corrente di drain 430 A.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

La leadership RDS(ON) riduce al minimo la perdita di potenza dovuta alla conduzione

Valori nominali di 2,5 V e funzionamento con stadio pilota a bassa tensione

Testato al 100% Rg e UIS

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