MOSFET Vishay, canale N 20 V, 0.31 mΩ Miglioramento, 430 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIR178DP-T1-RE3
- Codice RS:
- 210-4999
- Codice costruttore:
- SIR178DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,518 € | 12,59 € |
| 50 - 120 | 2,266 € | 11,33 € |
| 125 - 245 | 1,812 € | 9,06 € |
| 250 - 495 | 1,486 € | 7,43 € |
| 500 + | 1,336 € | 6,68 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 210-4999
- Codice costruttore:
- SIR178DP-T1-RE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 430A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SO-8 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.31mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 104W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 204nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 6.25mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.26mm | |
| Altezza | 1.12mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 430A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SO-8 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.31mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 104W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 204nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 6.25mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.26mm | ||
Altezza 1.12mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET Vishay a canale N da 20 V (D-S) è dotato di contenitore tipo SO-8 PowerPAK con corrente di drain 430 A.
MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV
RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)
La leadership RDS(ON) riduce al minimo la perdita di potenza dovuta alla conduzione
Valori nominali di 2,5 V e funzionamento con stadio pilota a bassa tensione
Testato al 100% Rg e UIS