MOSFET Vishay, canale N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR882BDP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5007
Codice costruttore:
SiR882BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

67.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiR882BDP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

83.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

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