MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SiR882BDP-T1-RE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

13,32 €

(IVA esclusa)

16,25 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 giugno 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 901,332 €13,32 €
100 - 2401,294 €12,94 €
250 - 4901,225 €12,25 €
500 - 9901,174 €11,74 €
1000 +1,105 €11,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5007
Codice costruttore:
SiR882BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR882BDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83.3W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.