MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 6.9 mΩ Miglioramento, 67.5 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1839,00 €

(IVA esclusa)

2244,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 20 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,613 €1.839,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
210-5006
Codice costruttore:
SiR882BDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR882BDP

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

83.3W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

54nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Larghezza

5.26 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 100 V (D-S) è dotato di contenitore tipo PowerPAK SO-8.

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati