MOSFET Vishay, canale Tipo N 25 V, 0.58 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie SIDR220DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7232
Codice costruttore:
SIDR220DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

SO-8

Serie

SiDR220DP

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.58mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

125W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

200nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay N-Channel da 25 V (D-S) ha un rapporto Qg, Qgd e Qgd/QGS ottimizzato che riduce la perdita di potenza correlata alla commutazione.

Testato al 100% Rg e UIS

MOSFET di potenza TrenchFET Gen IV

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