MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 3.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, SO-8, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

3093,00 €

(IVA esclusa)

3774,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 30 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +1,031 €3.093,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
134-9161
Codice costruttore:
SIR680DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

69.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

104W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.26 mm

Lunghezza

6.25mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.12mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati