MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9161
Codice costruttore:: SIR680DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Codice RS:: 134-9161
Codice costruttore:: SIR680DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

SiR680DP, N-Channel 80V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.25mm
Carica gate tipica @ Vgs	69,5 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1.12mm
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

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