MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 134-9727
Codice costruttore:: SIR680DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 2

0,85 €

(IVA esclusa)

1,04 €

(IVA inclusa)

6000 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
2 +	0,85 €	1,70 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 134-9727
Codice costruttore:: SIR680DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

SiR680DP, N-Channel 80V MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK SO-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	3,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	104 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	69,5 nC a 10 V
Lunghezza	6.25mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.26mm
Tensione diretta del diodo	1.1V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.12mm

MOSFET Vishay, canale N, 3,4 mΩ, 100 A, PowerPAK SO-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor

Link consigliati