MOSFET singoli Vishay, canale N 100 V, 0.0061 Ω Miglioramento, 81 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIR870BDP-T1-UE3

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Codice RS:
653-199
Codice costruttore:
SIR870BDP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

81A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

SiR870BDP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0061Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

100W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

73nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

610μm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 100 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un basso RDS(on), una commutazione rapida e prestazioni termiche ottimizzate.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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