MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 70 V, 0.0135 Ω Miglioramento, 45.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SISS178LDN-T1-UE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1218,00 €

(IVA esclusa)

1485,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 3000 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,406 €1.218,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
653-101
Codice costruttore:
SISS178LDN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

45.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SISS178LDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0135Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N Gen IV TrenchFET Vishay è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 70 V. Confezionato in un PowerPAK 1212-8S compatto, è ideale per le soluzioni di alimentazione dei server AI, i convertitori c.c./c.c. e la commutazione del carico.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

Link consigliati