MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.0135 Ω Miglioramento, 45.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIR5812DP-T1-RE3

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Codice RS:
653-197
Codice costruttore:
SIR5812DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SIR5812DP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0135Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.15mm

Altezza

1.04mm

Larghezza

6.15 mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale N Vishay TrenchFET Gen V è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 80 V. Confezionato in un PowerPAK SO-8, è ideale per i convertitori c.c./c.c., la rettifica sincrona, il controllo del motore e la commutazione swap a caldo.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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