MOSFET singoli Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00040 Ω Miglioramento, 680 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIRS4300DP-T1-RE3

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Codice RS:
653-095
Codice costruttore:
SIRS4300DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Massima corrente di scarico continua Id

680A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SIRS4300DP

Tipo di package

PowerPAK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00040Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

278W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

84nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.10 mm

Lunghezza

6.10mm

Altezza

0.95mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET a canale N Vishay è progettato per la commutazione ad alta efficienza in sistemi di alimentazione compatti. Supporta fino a 30 V di tensione di scarico-sorgente. Confezionato in PowerPAK SO-8S, utilizza la tecnologia TrenchFET Gen IV per fornire un RDS(on) ultrabasso, una carica di gate ridotta e prestazioni termiche eccellenti.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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