MOSFET singoli Vishay, canale N 30 V, 0.00040 Ω Miglioramento, 680 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIRS4300DP-T1-RE3

Codice RS:: 653-095
Codice costruttore:: SIRS4300DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET singoli Vishay, canale N 30 V, 0.00040 Ω Miglioramento, 680 A, 8 Pin, PowerPAK, Superficie SIRS4300DP-T1-RE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

7251,00 €

(IVA esclusa)

8847,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Ultimi pezzi su RS

3000 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.

Unità	Per unità	Per bobina*
3000 +	2,417 €	7.251,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 653-095
Codice costruttore:: SIRS4300DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id	680A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	PowerPAK
	Serie	SIRS4300DP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.00040Ω
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	278W
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	84nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	950μm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.1mm
	Larghezza	5.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET singoli
	Massima corrente di scarico continua Id 680A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package PowerPAK
	Serie SIRS4300DP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00040Ω
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 278W
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 950μm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.1mm
	Larghezza 5.1mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SIRS4300DP-T1-RE3

Paese di origine:: CN

MOSFET singoli serie SIRS4300DP Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 30 V, corrente di drenaggio continua massima 680 A - SIRS4300DP-T1-RE3

Questo dispositivo MOSFET singolo è un semiconduttore di potenziamento a canale N progettato per ruoli di commutazione ad alta corrente e conversione di potenza nell'elettronica industriale. È fornito in un contenitore PowerPAK a 8 pin per montaggio superficiale ed è adatto per ambienti termici ed elettrici impegnativi in cui è richiesta una commutazione compatta e a bassa perdita.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale di drain di 30 V consente progetti a fase di potenza a bassa tensione • La corrente di drenaggio continua 680 A supporta la commutazione di carichi pesanti • L'Rds(on) di 0,00040 Ω riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza • La carica gate tipica 84 nC consente transizioni gate più veloci • La dissipazione di potenza di 278 W gestisce un'elevata portata di energia • Funziona fino a 150 °C per applicazioni a temperature elevate

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta corrente nei sistemi di automazione • Ideale per le fasi di potenza nei controllori di azionamento del motore • Utilizzato per la rettifica sincrona nei moduli di alimentazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico nella distribuzione dell'alimentazione industriale • Utilizzato con array paralleli per rack di alimentazione di centri dati

Quale margine di azionamento del gate è accettabile per una commutazione affidabile?

Il dispositivo tollera tensioni di gate fino a 20 V

progettare i driver gate per funzionare entro questo limite e per ottenere la carica tipica di 84 nC per le velocità di commutazione previste.

Come deve essere affrontata la gestione termica su un circuito stampato?

Data la capacità di dissipazione di 278 W, utilizzare grandi aree di rame, vie termiche e dissipazione termica diretta al tampone esposto PowerPAK per mantenere le temperature di giunzione entro i limiti.

Può essere collegato in parallelo per aumentare la capacità di corrente?

Il paralleling è fattibile a condizione che Rds(on) corrispondente e che vengano implementate misure di condivisione della corrente adeguate, insieme a un'attenta temporizzazione dell'azionamento del gate per evitare squilibri.

Quale intervallo di temperatura ambiente può tollerare durante il servizio?

Il componente è specificato per il funzionamento fino a -55 °C e fino a 150 °C per le condizioni di giunzione o contenitore come definito nella progettazione termica del sistema.

Quali considerazioni sul pacchetto influenzano la densità del layout?

Il formato a montaggio superficiale PowerPAK a 8 pin consente un posizionamento compatto ma richiede attenzione al dissipatore di calore in rame e alla larghezza della traccia per percorsi ad alta corrente.