MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.0022 Ω Miglioramento, 128 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiRA54ADP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
268-8338
Codice costruttore:
SiRA54ADP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

128A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiRA

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0022Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza TrenchFET di generazione 4 a canale N Vishay è un dispositivo senza piombo e alogeni. Si tratta di un dispositivo di configurazione singolo e viene utilizzato come applicazione di rettifica sincrona e controllo dell'azionamento del motore.

Conformità ROHS

Test UIS al 100%

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