MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1209,00 €

(IVA esclusa)

1476,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 24 marzo 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,403 €1.209,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
239-5393
Codice costruttore:
SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

SiR

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.008Ω

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

59.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

5.15 mm

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N TrenchFET Vishay ha una corrente di drenaggio di 59,5 A. Viene utilizzato in rettifica sincrona, interruttore lato primario, convertitore c.c./c.c. e interruttore di azionamento motore.

Figure-of-merit RDS x Qg (FOM) molto bassa

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati