MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Codice RS:: 239-5393
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 239-5393
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Serie	SiR588DP
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.008Ω
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	59.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.2nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	5.15mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.15mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Serie SiR588DP
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.008Ω
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 59.5W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.2nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 5.15mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.15mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

MOSFET serie SiR588DP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 59,5 A - SiR588DP-T1-RE3

Questo MOSFET a canale n è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per commutare e gestire correnti elevate in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per le applicazioni che richiedono una gestione robusta della tensione e una conduzione efficiente in un contenitore di piccole dimensioni.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drain di 80 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 59,5 A supporta il funzionamento con carichi pesanti • La bassa Rds(on) di 0,008 Ω riduce le perdite di conduzione e il riscaldamento • La carica di gate tipica di 14,2 nC consente transizioni di commutazione più veloci • La dissipazione di potenza di 59,5 W consente una gestione della potenza sostenuta • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera ambienti termici elevati

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi di automazione industriale • Ideale per convertitori CC-CC ad alta corrente e alimentatori • Utilizzato per gli elementi di commutazione nei moduli di distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico in HVAC e apparecchiature di controllo • Adatto per gruppi di alimentazione SMD compatti in cui lo spazio sulla scheda è limitato

Quali vincoli di tensione del gate devono essere osservati per un funzionamento sicuro?

La tensione da gate a sorgente deve essere mantenuta entro ±20 V per evitare lo stress da ossido di gate.

In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda?

Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK SO-8 a 8 pin concentra il percorso termico attraverso il substrato, pertanto una buona area di rame per circuito stampato e vie termiche migliorano la dissipazione del calore.

Quali condizioni ambientali definiscono i limiti operativi del dispositivo?

Il dispositivo è specificato per l'uso a temperature di giunzione fino a -55 °C e fino a 150 °C per ambienti ad alta temperatura.

In che modo la tensione diretta del dispositivo si collega al comportamento di conduzione?

La tensione diretta di 1,1 V indica la caduta di conduzione prevista del diodo quando il diodo del corpo intrinseco conduce durante eventi di recupero inverso o commutazione rigida.