MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Codice RS:: 239-5393
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

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Codice RS:: 239-5393
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	SiR588DP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.008Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	59.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.2nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.15mm
	Larghezza	5.15mm
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie SiR588DP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.008Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 59.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.2nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.15mm
	Larghezza 5.15mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

MOSFET serie SiR588DP di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 80 V, corrente di drenaggio continua 59,5 A - SiR588DP-T1-RE3

Questo MOSFET di potenza a canale n è progettato per la commutazione ad alta corrente nell'elettronica di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature e si adatta agli ambienti termici più difficili, offrendo al contempo basse perdite di conduzione e un controllo efficiente dei gate per applicazioni a commutazione rapida.

Caratteristiche e vantaggi:

• La resistenza di accensione molto bassa riduce le perdite di conduzione e il calore
• L'elevata corrente di drenaggio continua supporta la commutazione per carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 80 V consente progetti a media tensione
• La carica gate moderata consente un controllo di commutazione efficiente
• La notevole capacità di dissipazione della potenza migliora il margine termico

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC nella gestione dell'alimentazione
• Ideale per gli stadi degli inverter con azionamento a motore
• Utilizzato con alimentatori per server e apparecchiature di telecomunicazione
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e i sistemi di ricarica

Che tipo di contenitore utilizza e perché è importante?

Viene fornito in un contenitore PowerPAK SO‐8 che offre un ingombro compatto per montaggio superficiale e un contatto termico migliorato per dissipare il calore su schede densamente popolate.

Come si comporta il dispositivo a temperature estreme?

È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso sia in condizioni di avvio a freddo che in contenitori ad alta temperatura mantenendo al contempo le prestazioni elettriche specificate.

Quali vincoli del gate-drive devono essere osservati?

La tensione massima gate-sorgente è di 20 V, pertanto i circuiti di azionamento gate devono essere limitati a questo valore per evitare la sovratensione del gate.

Quali caratteristiche elettriche influenzano l'efficienza di commutazione?

La bassa resistenza drain-source e una carica di gate tipica di 14,2 nC determinano le perdite di conduzione e l'energia di commutazione, influenzando l'efficienza complessiva del sistema.