MOSFET Vishay, canale N 80 V, 0.0039 Ω, 100 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR584DP-T1-RE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-5390
Codice costruttore:
SiR584DP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

SiR

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0039Ω

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

83.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.15mm

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Il MOSFET di potenza a canale N TrenchFET Vishay ha una corrente di drenaggio di 100 A. Viene utilizzato in rettifica sincrona, interruttore lato primario, convertitore c.c./c.c. e interruttore di azionamento motore.

Figure-of-merit RDS x Qg (FOM) molto bassa

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

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