MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

Codice RS:: 239-5394
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 59.5 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SiR588DP-T1-RE3

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Codice RS:: 239-5394
Codice costruttore:: SiR588DP-T1-RE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id	59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	80V
	Tipo di package	PowerPAK SO-8
	Serie	SiR588DP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.008Ω
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	59.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	14.2nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Lunghezza	6.15mm
	Larghezza	5.15mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale Tipo N
	Massima corrente di scarico continua Id 59.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 80V
	Tipo di package PowerPAK SO-8
	Serie SiR588DP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.008Ω
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 59.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 14.2nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni RoHS
	Lunghezza 6.15mm
	Larghezza 5.15mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - SiR588DP-T1-RE3

MOSFET serie SiR588DP di Vishay, tensione massima della sorgente di drenaggio di 80 V, corrente di drenaggio continua massima di 59,5 A - SiR588DP-T1-RE3

Questo MOSFET a canale n è un transistor di potenza a montaggio superficiale progettato per commutare e gestire correnti elevate in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è adatto per le applicazioni che richiedono una gestione robusta della tensione e una conduzione efficiente in un contenitore di piccole dimensioni.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tensione di drain di 80 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 59,5 A supporta il funzionamento con carichi pesanti • La bassa Rds(on) di 0,008 Ω riduce le perdite di conduzione e il riscaldamento • La carica di gate tipica di 14,2 nC consente transizioni di commutazione più veloci • La dissipazione di potenza di 59,5 W consente una gestione della potenza sostenuta • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera ambienti termici elevati

Applicazioni

• Adatto per le fasi di azionamento del motore nei sistemi di automazione industriale • Ideale per convertitori CC-CC ad alta corrente e alimentatori • Utilizzato per gli elementi di commutazione nei moduli di distribuzione dell'alimentazione • Può essere utilizzato per la commutazione del carico in HVAC e apparecchiature di controllo • Adatto per gruppi di alimentazione SMD compatti in cui lo spazio sulla scheda è limitato

Quali vincoli di tensione del gate devono essere osservati per un funzionamento sicuro?

La tensione da gate a sorgente deve essere mantenuta entro ±20 V per evitare lo stress da ossido di gate.

In che modo il contenitore influisce sulla gestione termica su una scheda?

Il contenitore a montaggio superficiale PowerPAK SO-8 a 8 pin concentra il percorso termico attraverso il substrato, pertanto una buona area di rame per circuito stampato e vie termiche migliorano la dissipazione del calore.

Quali condizioni ambientali definiscono i limiti operativi del dispositivo?

Il dispositivo è specificato per l'uso a temperature di giunzione fino a -55 °C e fino a 150 °C per ambienti ad alta temperatura.

In che modo la tensione diretta del dispositivo si collega al comportamento di conduzione?

La tensione diretta di 1,1 V indica la caduta di conduzione prevista del diodo quando il diodo del corpo intrinseco conduce durante eventi di recupero inverso o commutazione rigida.