MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.008 Ω Miglioramento, 340 A, 8 Pin, PowerPAK SO-8, Superficie SIR532DP-T1-UE3

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Codice RS:
735-236
Codice costruttore:
SIR532DP-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

340A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.008Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

99.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

104.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

5.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL

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