MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.011 Ω Miglioramento, 59 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS516DN-T1-UE3

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Codice RS:
735-241
Codice costruttore:
SISS516DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una commutazione di potenza efficiente in un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. Offre prestazioni affidabili con una resistenza di gate completa e test di commutazione induttiva senza morsetto, garantendo un funzionamento robusto in condizioni difficili. Il dispositivo supporta progetti responsabili dal punto di vista ambientale con una struttura conforme alla direttiva RoHS e senza alogeni, il che lo rende adatto per i moderni sistemi di gestione dell'alimentazione.

Supporta un funzionamento ad alta affidabilità in ambienti difficili

Adatto per applicazioni di rettifica sincrona

Ideale per l'uso come interruttore laterale primario nei convertitori di potenza

Soddisfa i requisiti RoHS e senza alogeni

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