MOSFET Vishay, canale Canale N 100 V, 0.011 Ω Miglioramento, 59 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS516DN-T1-UE3

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Codice RS:
735-241
Codice costruttore:
SISS516DN-T1-UE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Canale N

Massima corrente di scarico continua Id

59A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
DE
Il MOSFET a canale N di Vishay è progettato per una commutazione di potenza efficiente in un'ampia gamma di applicazioni elettroniche. Offre prestazioni affidabili con una resistenza di gate completa e test di commutazione induttiva senza morsetto, garantendo un funzionamento robusto in condizioni difficili. Il dispositivo supporta progetti responsabili dal punto di vista ambientale con una struttura conforme alla direttiva RoHS e senza alogeni, il che lo rende adatto per i moderni sistemi di gestione dell'alimentazione.

Supporta un funzionamento ad alta affidabilità in ambienti difficili

Adatto per applicazioni di rettifica sincrona

Ideale per l'uso come interruttore laterale primario nei convertitori di potenza

Soddisfa i requisiti RoHS e senza alogeni

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