MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.00138 Ω Miglioramento, 178.3 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SISS66DN-T1-GE3

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Codice RS:
281-6039
Codice Distrelec:
301-56-785
Codice costruttore:
SISS66DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

178.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SIS

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00138Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

24.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il transistor MOSFET a canale N Vishay con diodo Schottky ha applicazioni nella rettifica sincrona, nel convertitore buck sincrono e nelle conversioni c.c./c.c.

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