MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0126 Ω Miglioramento, 55.9 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5110DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9994
Codice costruttore:
SISS5110DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

1212-8S

Serie

SISS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0126Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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