MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 0.046 Ω Miglioramento, 36.3 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5623DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
280-0001
Codice costruttore:
SISS5623DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

1212-8S

Serie

SiSS5623DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.046Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale P e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza di nuova generazione

Testato al 100% Rg e UIS

Prodotto FOM ultrabasso RDS x Qg

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

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