MOSFET Vishay, canale N 100 V, 0.0149 Ω Miglioramento, 40.7 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5112DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9996
Codice costruttore:
SISS5112DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

1212-8S

Serie

SISS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0149Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

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