MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 0.0149 Ω Miglioramento, 40.7 A, 8 Pin, 1212-8S, Superficie SISS5112DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

9,48 €

(IVA esclusa)

11,565 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 6000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,896 €9,48 €
50 - 951,612 €8,06 €
100 - 2451,432 €7,16 €
250 - 9951,404 €7,02 €
1000 +1,372 €6,86 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
279-9996
Codice costruttore:
SISS5112DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

1212-8S

Serie

SISS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0149Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay è un MOSFET a canale N e il transistor in esso contenuto è realizzato in materiale noto come silicio.

MOSFET di potenza TrenchFET

Dispositivo completamente privo di piombo (Pb)

RDS molto basso x Qg cifra di merito

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.