MOSFET Vishay, canale Tipo N 80 V, 0.008 Ω, 58.1 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8S, Superficie SiSS588DN-T1-GE3

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Codice RS:
239-5404
Codice costruttore:
SiSS588DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

58.1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8S

Serie

SIS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.008Ω

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.2nC

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza a canale N Vishay ha una corrente di drain di 58,1 A. Viene utilizzato per rettifica sincrona, interruttore lato primario, convertitori c.c./c.c., interruttori OR-ing e hot swap, alimentatori, controllo dell'azionamento di motori, gestione della batteria

Figure-of-merit RDS x Qg (FOM) molto bassa

Sintonizzato per il più basso RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

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