MOSFET singoli Vishay, canale Tipo P -40 V, 0.011 Ω Miglioramento, -48.3 A, 8 Pin, PowerPAK, Montaggio su circuito

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Codice RS:
653-194
Codice costruttore:
SIR4411DP-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET singoli

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

-48.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

-40V

Tipo di package

PowerPAK

Serie

SIR4411DP

Tipo montaggio

Montaggio su circuito stampato

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.011Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

56.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

36.5nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.15mm

Altezza

0.61mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza a canale P Vishay TrenchFET Gen IV è progettato per una tensione di scarico-sorgente di 40 V. È dotato di bassa RDS(on) e prestazioni di commutazione rapide, il che lo rende adatto per la gestione dell'alimentazione ad alta efficienza. Confezionato in un PowerPAK SO-8 compatto, è ideale per i convertitori c.c./c.c., la commutazione del carico e la gestione della batteria in progetti con spazio ridotto.

Senza Pb

Prodotto privo di alogeni

Conforme alla direttiva RoHS

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