MOSFET Vishay, canale Tipo P 150 V, 125 mΩ Miglioramento, 16.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
188-4907
Codice costruttore:
SISS73DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

16.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

SiSS73DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

14.6nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.78mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale P 150 V (D-S).

TrenchFET® con tecnologia ThunderFET

RDS(on) molto basso riduce al minimo la perdita di potenza dalla conduzione

Link consigliati