MOSFET Vishay, canale P, 9 mΩ, 23 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 919-4299
Codice costruttore:: SISS27DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 9 mΩ, 23 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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Confronta

Codice RS:: 919-4299
Codice costruttore:: SISS27DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	23 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Serie	TrenchFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	9 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	3.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	92 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.78mm

MOSFET Vishay, canale P, 9 mΩ, 23 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

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MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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