- Codice RS:
- 919-4299
- Codice costruttore:
- SISS27DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prodotto non a stock - in consegna appena disponibile
Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)
0,285 €
(IVA esclusa)
0,348 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
---|---|---|
3000 + | 0,285 € | 855,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-4299
- Codice costruttore:
- SISS27DN-T1-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Documentazione Tecnica
Normative
- Paese di origine:
- CN
Dettagli prodotto
MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | P |
Corrente massima continuativa di drain | 23 A |
Tensione massima drain source | 30 V |
Tipo di package | PowerPAK 1212-8 |
Serie | TrenchFET |
Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
Numero pin | 8 |
Resistenza massima drain source | 9 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate minima | 1V |
Dissipazione di potenza massima | 57 W |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -20 V, +20 V |
Larghezza | 3.3mm |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 92 nC a 10 V |
Lunghezza | 3.3mm |
Materiale del transistor | Si |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Altezza | 0.78mm |
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