MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 9 mΩ Miglioramento, 23 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS27DN-T1-GE3

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Codice RS:
814-1323
Codice costruttore:
SISS27DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

23A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

92nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.78mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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