MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 9.8 mΩ Miglioramento, 111.9 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS61DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5117
Codice costruttore:
SiSS61DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

111.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

SiSS61DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.8W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

154nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.78mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-32-537

MOSFET a canale P 20 V (D-S).

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