MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Codice RS:: 814-1314
Codice costruttore:: SISS23DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Prezzo per 1pz in confezione da 20

0,207 €

(IVA esclusa)

0,253 €

(IVA inclusa)

3000 Disponibile per la consegna entro 2 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità	Per confezione**
20 +	0,207 €	4,14 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 814-1314
Codice costruttore:: SISS23DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiSS23DN, P-Channel 20V (D-S) MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	27 A
Tensione massima drain source	20 V
Serie	TrenchFET
Tipo di package	PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	11,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	0.4V
Dissipazione di potenza massima	57 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.3mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	195 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.3mm
Altezza	0.78mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale P, 11,5 mΩ, 27 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Link consigliati