MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 13 mΩ Miglioramento, 35 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSH101DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5039
Codice costruttore:
SiSH101DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSH101DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

68nC

Tensione diretta Vf

-1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

25 V

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.3 mm

Altezza

0.93mm

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

304-32-535

MOSFET a 30 V (D-S) a canale P.

MOSFET di potenza TrenchFET®

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