MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 5.8 mΩ Miglioramento, 108 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS05DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-5013
Codice costruttore:
SiSS05DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

108A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSS05DN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

76nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

-1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.78mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.3 mm

Distrelec Product Id

304-38-851

Standard automobilistico

No

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