MOSFET Vishay, canale N 45 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 108 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS50DN-T1-GE3

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Codice RS:
200-6846
Codice costruttore:
SISS50DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

108A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SISS50DN-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

100 % Rg e collaudato UIS

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