MOSFET Vishay, canale Tipo N 45 V, 4.1 mΩ Miglioramento, 108 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISS50DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

1119,00 €

(IVA esclusa)

1365,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 26 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,373 €1.119,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
200-6846
Codice costruttore:
SISS50DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

108A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

45V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

65.7W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

3.3mm

Lunghezza

3.3mm

Standard automobilistico

No

Il Vishay SISS50DN-T1-GE3 è un MOSFET 45V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS(on) molto bassa in un contenitore compatto e termicamente migliorato

Il rapporto Qg, Qgd, e Qgd/Qgs riduce la perdita di potenza relativa alla commutazione

100 % Rg e collaudato UIS

Link consigliati