MOSFET Vishay, canale N 30 V, 5 mΩ Miglioramento, 30 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SISA10DN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9409
Codice costruttore:
SISA10DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

30A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-16V, +20V

Tensione diretta Vf

800mV

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.12mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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