MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 6 mΩ Miglioramento, 25 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSHA12ADN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
188-4936
Codice costruttore:
SiSHA12ADN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

SiSHA12ADN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

28W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

29.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.3mm

Altezza

0.93mm

Larghezza

3.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a 30 V (D-S) a canale N.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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