MOSFET Vishay, canale Tipo N 70 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 67.4 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS76LDN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5018
Codice costruttore:
SiSS76LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiSS76LDN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.83mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.4mm

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 70 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

RDS molto bassa x figura di merito Qg (FOM)

Sintonizzati per la minima RDS x Qoss FOM

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.