MOSFET Vishay, canale N 70 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 67.4 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS76LDN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5018
Codice costruttore:
SiSS76LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

67.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Serie

SiSS76LDN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione diretta Vf

1.1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.3nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

830μm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 70 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

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