MOSFET Vishay, canale Tipo N 70 V, 5.2 mΩ Miglioramento, 67.4 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiSS76LDN-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-5018
Codice costruttore:
SiSS76LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

67.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Serie

SiSS76LDN

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

57W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.83mm

Lunghezza

3.4mm

Larghezza

3.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Vishay a canale N da 70 V (D-S) è dotato di contenitore di tipo PowerPAK 1212-8S.

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