MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Codice RS:: 178-3962
Codice costruttore:: SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

19,00 €

(IVA esclusa)

23,25 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 19 novembre 2026

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
25 +	0,76 €	19,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-3962
Codice costruttore:: SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay Siliconix
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	14.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	SiS110DN
	Tipo di package	PowerPAK 1212
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd	24W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.15mm
	Larghezza	3.15mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Altezza	1.07mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay Siliconix
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 14.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie SiS110DN
	Tipo di package PowerPAK 1212
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Dissipazione di potenza massima Pd 24W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.15mm
	Larghezza 3.15mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Altezza 1.07mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Esente

Paese di origine:: CN

MOSFET serie Siliconix SiS110DN di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3

Questo MOSFET a canale n è un transistor di commutazione a montaggio superficiale progettato per la conversione di potenza e le applicazioni di controllo nei sistemi industriali. Funziona come un dispositivo in modalità di potenziamento in grado di gestire tensioni e correnti da moderate ad alte, fornendo una commutazione efficiente in assemblaggi compatti a montaggio superficiale.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 100 V consente applicazioni di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 14,2 A supporta correnti di carico sostanziali • L'Rds(on) di 70 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione durante il funzionamento • la carica del gate da 8,5 nC riduce l'energia di commutazione e i requisiti di azionamento • La dissipazione di potenza di 24 W gestisce il carico termico in layout ristretti • La temperatura di giunzione massima di 150 °C consente condizioni di funzionamento elevate

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC nelle apparecchiature di automazione • Ideale per circuiti a mezzo ponte con azionamento a motore nei sistemi di fabbrica • Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nelle unità di controllo industriali • Può essere utilizzato per la commutazione del carico nei moduli di distribuzione elettrica

Quale stile di montaggio richiede per l'assemblaggio?

È fornito in un contenitore compatto a montaggio superficiale PowerPAK 1212 progettato per l'assemblaggio di circuiti stampati saldati e layout di schede a basso profilo.

Quale ampio intervallo di temperatura può tollerare in servizio?

È classificato per il funzionamento da -55 °C ambiente a una temperatura di giunzione massima di 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con variazione termica sostanziale.

Quali sono i limiti di tensione del gate che i progettisti devono rispettare?

Il dispositivo consente tensioni gate-source fino a 20 V

i progetti devono garantire che l'azionamento del gate rimanga all'interno di questo vincolo per proteggere l'ossido del gate.

Quanti pin presenta il pacchetto per l'integrazione del circuito?

Il pacchetto include otto pin per ospitare collegamenti di scarico, sorgente e gate e per facilitare il routing termico ed elettrico sul circuito stampato.

Questa parte è specificata per l'uso automobilistico?

Non è designato per gli standard automobilistici e non deve essere scelto nei casi in cui la qualifica di livello automobilistico è obbligatoria.