MOSFET Vishay Siliconix, canale N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiS110DN-T1-GE3

Codice RS:: 178-3962
Codice costruttore:: SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

MOSFET Vishay Siliconix, canale N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiS110DN-T1-GE3

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

19,58 €

(IVA esclusa)

23,88 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

Temporaneamente esaurito

Spedizione a partire dal 08 gennaio 2027

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per confezione*
25 +	0,783 €	19,58 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-3962
Codice costruttore:: SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:: Vishay Siliconix

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay Siliconix
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	14.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	PowerPAK 1212
	Serie	SiS110DN
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	70mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd	24W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	8.5nC
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.07mm
	Standard/Approvazioni	RoHS
	Larghezza	3.15mm
	Lunghezza	3.15mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Vishay Siliconix
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 14.2A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package PowerPAK 1212
	Serie SiS110DN
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 70mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Dissipazione di potenza massima Pd 24W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 1.2V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 8.5nC
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.07mm
	Standard/Approvazioni RoHS
	Larghezza 3.15mm
	Lunghezza 3.15mm
	Standard automobilistico No

Datasheet

Esente

Paese di origine:: CN

MOSFET serie SiS110DN di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono un equilibrio tra gestione della tensione, capacità di corrente e carica di gate moderata per un controllo efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:

• La tolleranza di drenaggio di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• Il basso valore di RDS(on) di 70 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 14,2 A supporta correnti di carico sostanziali
• La dissipazione di potenza di 24 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica tipica del gate di 8,5 nC facilita la gestione del gate in modo reattivo
• Il valore nominale gate-source di ±20 V offre un robusto margine di tensione gate

Applicazioni

• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per la commutazione low-side dell'azionamento del motore
• Utilizzato con la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione

Quale intervallo termico posso aspettarmi per un funzionamento affidabile?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie variazioni di temperatura.

In che modo il contenitore supporta l'assemblaggio e il raffreddamento del circuito stampato?

Viene fornito in un contenitore PowerPAK1212 compatto per un posizionamento a basso profilo a montaggio superficiale e un trasferimento termico ragionevole al circuito stampato.

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate, data la carica del gate?

Con una carica gate tipica di 8,5 nC, i driver gate devono generare e dissipare una corrente sufficiente per commutare alla velocità desiderata senza eccessive perdite di azionamento.

Esistono restrizioni normative per questo componente?

Il componente è conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni negli assemblaggi elettronici.