MOSFET Vishay, canale Tipo N 70 V, 9.5 mΩ Miglioramento, 45.3 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiS178LDN-T1-GE3

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Codice RS:
228-2922
Codice costruttore:
SiS178LDN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

45.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

70V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

18.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

39W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il TrenchFET Vishay a canale N è un MOSFET da 70 V.

Testato al 100% Rg e UIS

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