MOSFET Vishay Siliconix, canale N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie SiS110DN-T1-GE3

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Siamo spiacenti, ma non sappiamo quando questo prodotto sarà di nuovo disponibile.
Codice RS:
178-3693
Codice costruttore:
SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay Siliconix

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

14.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PowerPAK 1212

Serie

SiS110DN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

24W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.07mm

Lunghezza

3.15mm

Larghezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN

MOSFET serie SiS110DN di Vishay, tensione di sorgente di drenaggio 100 V, corrente di drenaggio continua 14,2 A - SiS110DN-T1-GE3


Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione dell'alimentazione in assemblaggi elettronici compatti. Funziona in un'ampia gamma di ambienti ed è progettato per applicazioni che richiedono un equilibrio tra gestione della tensione, capacità di corrente e carica di gate moderata per un controllo efficiente.

Caratteristiche e vantaggi:


• La tolleranza di drenaggio di 100 V consente la commutazione ad alta tensione
• Il basso valore di RDS(on) di 70 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 14,2 A supporta correnti di carico sostanziali
• La dissipazione di potenza di 24 W consente una gestione della potenza sostenuta
• La carica tipica del gate di 8,5 nC facilita la gestione del gate in modo reattivo
• Il valore nominale gate-source di ±20 V offre un robusto margine di tensione gate

Applicazioni


• Adatto per le fasi di commutazione dei convertitori CC-CC
• Ideale per la commutazione low-side dell'azionamento del motore
• Utilizzato con la rettifica sincrona negli alimentatori
• Può essere utilizzato per la commutazione del carico nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Adatto per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione

Quale intervallo termico posso aspettarmi per un funzionamento affidabile?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampie variazioni di temperatura.

In che modo il contenitore supporta l'assemblaggio e il raffreddamento del circuito stampato?


Viene fornito in un contenitore PowerPAK1212 compatto per un posizionamento a basso profilo a montaggio superficiale e un trasferimento termico ragionevole al circuito stampato.

Quali sono le considerazioni sull'azionamento del gate, data la carica del gate?


Con una carica gate tipica di 8,5 nC, i driver gate devono generare e dissipare una corrente sufficiente per commutare alla velocità desiderata senza eccessive perdite di azionamento.

Esistono restrizioni normative per questo componente?


Il componente è conforme ai requisiti RoHS per le sostanze soggette a restrizioni negli assemblaggi elettronici.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.