MOSFET Vishay Siliconix, canale Tipo N 100 V, 70 mΩ Miglioramento, 14.2 A, 8 Pin, PowerPAK 1212, Superficie

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Codice RS:
178-3693
Codice costruttore:
SiS110DN-T1-GE3
Costruttore:
Vishay Siliconix
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Marchio

Vishay Siliconix

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

14.2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

TrenchFET

Tipo di package

PowerPAK 1212

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

70mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

24W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.15mm

Altezza

1.07mm

Larghezza

3.15 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Esente

Paese di origine:
CN
MOSFET di potenza TrenchFET® Gen IV

Sintonizzati per la minima RDS - Qoss FOM

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