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    MOSFET Vishay, canale N, 0,0109 Ω, 42,3 A, PowerPak 1212-8, Montaggio superficiale

    9000 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)

    Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)

    0,346 €

    (IVA esclusa)

    0,422 €

    (IVA inclusa)

    Unità
    Unità
    Per unità
    Per bobina*
    3000 +0,346 €1.038,00 €

    *prezzo indicativo

    Codice RS:
    228-2920
    Codice costruttore:
    SiS176LDN-T1-GE3
    Costruttore:
    Vishay

    Attributo
    Valore
    Tipo di canaleN
    Corrente massima continuativa di drain42,3 A
    Tensione massima drain source70 V
    SerieTrenchFET
    Tipo di packagePowerPak 1212-8
    Tipo di montaggioMontaggio superficiale
    Numero pin8
    Resistenza massima drain source0,0109 Ω
    Modalità del canaleEnhancement
    Tensione di soglia gate massima1.6V
    Materiale del transistorSi
    Numero di elementi per chip1

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